Ученые создали материал для высокочастотной электроники с ультранизкой коэрцитивностью
Исследователи из Южно-Китайского технологического университета совместно с Дунгуаньским институтом материаловедения и технологий Китайской академии наук разработали новый материал для высокочастотной электроники. Они создали особую микроструктуру в аморфных магнитомягких композитах с помощью плазменной обработки в среде аргона и кислорода. Об этом сообщает издание Phys.org.
Новый материал демонстрирует ультранизкую коэрцитивность 0,13 эрстеда, эффективную магнитную проницаемость 37,3 и высокую намагниченность насыщения 185 эму на грамм. Потери в сердечнике составляют всего 191,18 киловатта на кубический метр при частоте 1 мегагерц и индукции 20 миллитесла.
Секрет в том, что плазменная обработка создает на поверхности аморфных порошков наночастицы размером 0,8–2,5 нанометра из альфа-железа, оксидов железа и кремния. Эти частицы облегчают перемагничивание материала, снижая коэрцитивность без ухудшения других свойств.
Разработка может найти применение в миниатюрных высокочастотных индукторах, дросселях и других компонентах силовой электроники. Исследование опубликовано в журнале Materials Futures.
